EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Parahu wafer semikonduktor kuarsa
Jéntré Gancang:
1. Ngaran séjén: Semikonduktor quartz tank, quartz mandi pikeun semikonduktor, quartz tank pikeun semikonduktor.
2. Aplikasi: Parahu wafer Semiconductor Quartz pikeun prosés suhu luhur sapertos difusi, oksidasi, CVD, annealing, sareng sajabana, dina manufaktur semikonduktor.
3. Parameter inti:
Kuarsa purity ultra-luhur (> 99.99% SiO₂): Ngahindarkeun kontaminasi ku ion logam (Na +, K +, Fe³+, jsb) jeung minuhan sarat kabersihan prosés canggih (<5nm titik).
Résistansi suhu luhur: suhu kerja kontinyu 1200 ℃, résistansi suhu sakedapan 1300 ℃.
Inert sacara kimiawi: Tahan pikeun ngolah gas sapertos HCl, H₂, O₂, SiH₄ sareng lingkungan asam/basa. Non-corrosive pikeun pamakéan jangka panjang.
gambaran
Parahu wafer Semixlab Semiconductor Quartz mangrupikeun alat bantalan konci anu dirancang pikeun prosés suhu luhur sapertos difusi, oksidasi, CVD, annealing, sareng sajabana, dina manufaktur semikonduktor. Dijieunna tina quartz sintétik purity tinggi kalawan résistansi suhu luhur alus teuing, stabilitas kimiawi jeung koefisien ékspansi termal low, éta bisa stably mawa wafers dina lingkungan prosés kasar pikeun mastikeun konsistensi prosés jeung ngahasilkeun produk.
Alat-alat nu lumaku: Cocog jeung sagala jinis Horizontal / tungku difusi nangtung (Horizontal / tungku difusi nangtung), sistem LPCVD jeung alat perlakuan panas gancang (RTP).
Pamastian kualitas
Kontrol kualitas anu ketat: 100% spéktrométri massa hélium deteksi bocor (laju bocor <1×10⁻⁹ mbar·L/s). Laporan kamurnian bahan (uji ICP-MS) dikaluarkeun pikeun tiap angkatan.
Standar sertifikasi: Luyu sareng spésifikasi SEMI F47, ngaliwatan sertifikasi sistem manajemen kualitas ISO 9001:2015.
Kahirupan jasa: hirup rata-rata dina kaayaan normal langkung ti 2 taun (gumantung kana frékuénsi prosés sareng kaayaan suhu).
Naha milih kapal quartz kami?
Jasa ngaropéa: Ukuran sareng konstruksi ngaropéa numutkeun modél alat (TEL, Kokusai, ASM, jsb) sareng syarat prosés.
Respon gancang: waktos pangiriman standar nyaéta 3 minggu, pesenan urgent bisa diréduksi jadi 10 poé gawé.
Jaringan layanan global: Nyadiakeun nasihat teknis, hidayah instalasi tur rojongan pangropéa sanggeus-jualan.Spesifikasi Bahan.
spésifikasi
spésifikasi proyék
Sintésis bahan Fused Quartz
Purity ≥99.99% SiO₂
Kasaluyuan ukuran wafer 8 ", 12" (tiasa ngaropéa 6" atanapi 18")
Suhu operasi ≤1200°C (kontinyu) / 1300°C (puncak)
Koéfisién ékspansi termal (CTE) 0.55×10⁻⁶/°C (20-1000°C)
Kakasaran permukaan (Ra) ≤0.2μm
Kapasitas standar 25/50/100 tablet
Gas prosés anu lumaku O₂, N₂, H₂, Ar, SiH₄, HCl, jsb
| sipat mékanis | Kapadetan (g/cm3) | 2.2 |
| Karasa Mohs | 6-7 | |
| Kakuatan komprési (MPa) | 1100 | |
| Kakuatan tegangan (N/mm2) | 50 | |
| Kakuatan lentur (N/mm2) | 65 | |
| Kakuatan torsi (N/mm2) | 30 | |
| Modulus ngora (MPa) | 7.2x104 | |
| Babandingan Poisson | 0.16 | |
| Sipat termal | Koéfisién ékspansi termal (20 ~ 320 ℃, k-1) | 5.5x10-7 |
| Konduktivitas termal (20 ℃, W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Panas spésifik (20 ℃, J·kg-1k-1) | 670 | |
| Titik lembek (℃) | 1700 | |
| Titik anil (℃) | 1180 | |
| Titik regangan (℃) | 1080 | |
| sipat listrik | Résistansi listrik (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Konstanta diéléktrik (10GHz) | 3.74 | |
| Rugi diéléktrik (10GHz) | 0.0002 | |
| kakuatan diéléktrik (V·m-1) | 3.7x107 |
aplikasi
Oksidasi/difusi suhu luhur: doping silikon (fosfor, difusi boron), pertumbuhan oksida gerbang.
Déposisi pilem ipis: silikon polikristalin LPCVD, déposisi silikon nitrida (Si₃N₄).
Prosés Annealing: annealing sanggeus implantation ion (RTA), alloying logam.
Semikonduktor generasi katilu: prosés epitaksi silikon karbida (SiC), gallium nitride (GaN).
Kauntungan kalapa
1. Ciri bahan
Quartz purity ultra-luhur (> 99.99% SiO₂): Ngahindarkeun polusi ku ion logam (Na +, K +, Fe³ +, jsb) jeung minuhan sarat kabersihan pikeun prosés canggih (<5nm titik).
Résistansi suhu luhur: suhu operasi kontinyu tina 1200 ° C, résistansi suhu sakedapan 1300 ° C, henteu aya résiko deformasi atanapi kristalisasi.
Inersi Kimia: Tahan gas prosés sapertos HCl, H₂, O₂, SiH₄ sareng lingkungan asam/basa. Non-corrosive dina pamakéan jangka panjang.
2. Desain precision
Optimalkeun struktur:
Akurasi jarak slot nyaéta ± 0.05mm, mastikeun posisi wafer akurat (8/12 inci) sareng nyegah goresan atanapi kapindahan.
Desain tahan shock termal, adaptasi kana naékna gancang sareng turun (laju pemanasan ≤20 ° C / mnt).
Wangunan partikel low: Beungeut ultra-precision digosok (Ra ≤0.2μm) pikeun ngurangan kantétan partikel sarta layu atawa gugur.
3. Konfigurasi diversified
Kapasitas Pilihan: Rojongan 25 lembar, 50 lembar, 100 lembar sareng spésifikasi standar sanésna, ogé tiasa disaluyukeun nomer slot non-standar.
Adaptasi tipe: Open Parahu, Closed Boat atawa tipe parahu husus (sapertos parahu handap desain channel diversion).
FAQ
Q1: Dupi anjeun nyadiakeun ukuran non-standar atawa desain husus?
A1: Semixlab ngarojong pikeun layanan custom, kaasup ukuran adjustment, wates luhur suhu (peryogikeun pamutahiran bahan) atawa tipe panganteur. Mangga wartosan tim téknis Semixlab pikeun sarat husus.
Q2: Sabaraha lami waktos kalungguhan?
A2: Waktu pangiriman pikeun produk standar nyaéta 4-6 minggu, sareng desain sareng waktos verifikasi pikeun produk khusus nyaéta 2-3 minggu.
Q3: Naha anjeun nyayogikeun dukungan téknis saatos penjualan?
A3: Sumuhun, kami nyadiakeun rundingan teknis lifelong sarta jasa tanggap darurat. Dina hal pamasangan atanapi pamakean masalah, tim dukungan tiasa dikontak iraha waé ku email atanapi telepon.
Q4: Dupi produk minuhan standar industri semikonduktor?
A4: Leres, prosés produksi saluyu sareng standar SEMI sareng disertipikasi ku sistem manajemen kualitas ISO 9001. Unggal bets diuji pikeun tightness hawa, résistansi suhu jeung purity saméméh ninggalkeun pabrik.
