Porous TaC Coated Grafit Ring

Porous TaC Coated Graphite Rings ti Semixlab mangrupakeun komponén penting dina lingkungan semikonduktor paménta tinggi, nyadiakeun durability unmatched, stabilitas, sarta optimasi prosés. Éta mangrupikeun pilihan idéal pikeun SiC epitaxy, GaN MOCVD, difusi, sareng prosés CVD dimana réliabilitas sareng kinerja kritis.

Bahan & Pasipatan

● Base grafit: High-dénsitas isostatic grafit jeung struktur porous pikeun ngurangan massa termal jeung mindahkeun panas ditingkatkeun.

● Tantalum Carbide palapis: High-lebur-titik tantalum carbide (3880 ° C) ensures karasa ekstrim, inertness kimiawi, sarta durability jangka panjang dina gas prosés kasar.

● Desain porous: Ngaronjatkeun distribusi aliran gas, ngurangan stress lokal salila Ngabuburit termal gancang, sarta ngaminimalkeun kontaminasi partikel.

Jasa Semixlab

● Custom Desain & Dimensi tailored ka epitaxy husus atawa parabot tungku.

● High-Purity Bahan pikeun minuhan sarat kontaminasi semikonduktor ketat.

● Control Quality ketat mastikeun ketebalan palapis, adhesion, sarta optimasi porosity.

● Rojongan Téknis Global pikeun fabs semikonduktor jeung pabrik alat.

Hubungi Semixlab ayeuna pikeun nyuhunkeun conto, spésifikasi téknis, atanapi solusi khusus.

Aplikasi konci dina prosés semikonduktor

1. Prosés Épitaksi (SiC, GaN, jeung Si)

Dina prosés pertumbuhan epitaxial sapertos MOCVD, CVD, sareng epitaxy SiC, cincin grafit anu dilapis TaC porous maénkeun peran kritis dina rakitan susceptor sareng struktur kontrol aliran gas. Desain porous maranéhna mantuan ngatur distribusi gas carrier, nyegah kaayaan nu teu tenang jeung mastikeun pangiriman prékursor seragam kana beungeut wafer. Ieu nyababkeun ningkatna kasaragaman ketebalan lapisan, langkung sakedik cacad, sareng ngahasilkeun alat anu langkung luhur. Lapisan TaC ngajaga substrat grafit tina prékursor agrésif sapertos HCl, NH₃, silane, sareng hidrokarbon, manjangkeun umur jasa dina kaayaan suhu luhur anu terus-terusan (> 1500°C).

2. Difusi jeung Annealing tungku

Salila difusi dopant sareng annealing suhu luhur saatos implantasi ion, cincin grafit dianggo salaku pangrojong sareng elemen kasaimbangan termal dina sistem tungku. Struktur porous na nurunkeun massa termal, ngamungkinkeun siklus ramp-up sareng cool-down langkung gancang bari ngirangan setrés termal dina wafer. Lapisan TaC nyegah oksidasi sareng degradasi kimiawi, mastikeun cincin ngajaga integritas struktural sapanjang siklus termal anu diulang. Ku stabilisasi lingkungan wafer, cingcin ieu mantuan ngahontal propil dopant konsisten tur warpage wafer minimal.

3. PECVD na LPCVD Chambers

Dina réaktor PECVD jeung LPCVD, cingcin grafit dilapis TaC porous meta salaku liner chamber, komponén shielding, atawa cingcin rojongan. Lingkungan ieu sering ngalaan bahan ka bombardment plasma sareng gas anu kacida korosif sapertos spésiés dumasar kana fluorin sareng klorin. Lapisan TaC nunjukkeun résistansi anu langkung luhur pikeun etching sareng erosi plasma, sacara signifikan ngirangan partikel partikel sareng résiko kontaminasi. Saterusna, desain porous mantuan dissipate panas leuwih merata, mastikeun laju déposisi pilem stabil sarta ningkat prosés repeatability.

4. Etching na déposisi Lingkungan

Dina etching garing sarta prosés déposisi pilem ipis, cingcin grafit coated TaC porous ngawula salaku halangan pelindung jeung elemen stabilizing nu mitigate déposisi backside sarta erosi plasma-ngainduksi bagian reaktor kritis. Karasa palapis sareng inersia kimiawi nyegah réaksi anu teu dihoyongkeun sareng gas prosés, ngirangan sumber kontaminasi. Aplikasina penting pisan dina ngajaga kabersihan kamar, ningkatkeun uptime, sareng ngajagi wafers-nilai luhur tina kontaminasi partikel anu nyababkeun hasil.